CARACTERIZACIÓN POR MICROSCOPÍA ELECTRÓNICA ANALÍTICA DE LA EVOLUCIÓN
MICROESTRUCTURAL DEL COMPUESTO CuIn3Se5 DURANTE EL CRECIMIENTO
Y. Paredes, B. Hidalgo, G. Marin, L. Prin.
Instituto de Investigaciones en Biomedicina y Ciencias Aplicadas, Universidad
de Oriente, Sucre. Centro de Estudios de Semiconductores, Facultad de
Ciencias, Universidad de los Andes, Mérida.
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Resumen
La técnica de Microscopía Electrónica Analítica ha sido utilizada en
este estudio para determinar los defectos estructurales resultantes
del proceso de crecimiento del compuesto semiconductor ternario CuIn3Se5.
El estudio por espectroscopía de energía dispersiva (EDS) proporcionó
la composición química del compuesto, obteniéndose de estos resultados
una estequeometría bastante alejada a la ideal 1:3:5. Los resultados
del análisis microestructural revelaron la existencia de un número significativo
de dislocaciones desalineadas (misfit dislocations) y dislocaciones
trenzadas (treading dislocations) en todas las muestras observadas.
Estas dislocaciones, generadas durante el crecimiento, pueden resultar
posiblemente de la desviación de la estequeometría ideal del compuesto.
Palabras Clave: Semiconductores, Crecimiento de Cristales, Microscopía
Electrónica Analítica, Dislocaciones.
Abstract
Analytical electron microscopy has been used to study the structural
defects resulting from the crystal growth process of the semiconductor
compound CuIn3Se5. The chemical composition of the compound obtained
using energy dispersive x-ray spectroscopy (EDS), showed a sotichiometry
1: 4.83 : 9.16 far from the ideal value of 1: 3: 5. The microestructural
analysis by transmission electron microscopy evidenced the existence
of significant number of misfit and treading dislocations. It was concluded
that the dislocations observed are generated during the crystal growth
process, due to tension between contiguous layers associated with structural
effects of the deviation from the ideal stoichiometry.
Keywords: Semiconductors, Crystal Growth, Analytical Electron Microscopy,
Dislocations.
